Consider a low-high (retrograde) doping profile of an nMOSFET ... | Filo
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Figure below shows the IV characteristics of an NMOSFET with To... | Filo
Figure below shows the IV characteristics of an NMOSFET with …
7 个月之前
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The general equation for ID (or Ion, the current from drain to source) in a NMOSFET is given bythe following equation:ID = μeff(W)/(L) Cox [(VG - VT) VD - VD^2 / 2]Where ID is the currentVG is the gate voltageW is the device widthμeff is the effective mobilityVT is the threshold voltageL is the device lengthCox is the gate capacitanceVD is the drain voltageShow that at the saturation condition, when I is maximum (= IDsat) at VD = (VG - VT), the aboveequation reduces to the simpler and familiar f
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