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    浙江驰拓科技在国际微电子顶级会议IEDM上,发布了一项震撼业界的SOT-MRAM突破性进展,能否颠覆现有的存储技术?SOT-MRAM,这种纳秒级写入、无限次擦写的存储技术,被视为未来可能替代CPU各级缓存的高性能非易失存储新星。然而,它的制造工艺难度极高,传统方案刻蚀良率低,让大规模生产与应用变得遥不可及。但浙江驰拓科技打破了这一僵局,他们发布了一种具有115% TMR、2纳秒切换速度及高比特良
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    2024年12月28日
    douyin.com半导体芯动力
    哈哈 新发型好喜欢哦#染发
    0:20
    哈哈 新发型好喜欢哦#染发
    3 个月之前
    douyin.comMram
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